silvaco tcad 2016是软件一款功能非常强大的TCAD和EDA工具；软件的功能是非常的全面，而且也具有相当的 破优势，并且包括了六大领域
，解版比如：2D/3DTCAD、软件设计自定义
、 破电源完整性 、解版3D RC提取
、软件SPICE模型提取、 破SPICE仿真等；而且还拥有非常丰硕的解版例子库，也是软件新手这铺开学习CAD时候的最佳选择，并且软件的 破许多功能也铺开了快速的加强
，使您这铺开使用的解版时候 ，会更加的软件轻快 ，自由， 破需要的解版挚友赶快将silvaco tcad软件下载来使用试试吧！

基本介绍

　　Tcad工具最重要的用途之一是碰见新的器件技术，其中铺开许多碰见性仿真 ，以便使器件设计人员更好地了解给定技术的可能的优点和缺点。这种用例需要连续的模拟，并铺开一些分析。为了有用，许多模拟循环必须在分配给勘探的时间内运行，将模拟运行时间最小化放在最高优先级上。目前，全流量标准CMOS模拟通常通过1D和2D模拟的组合来落成。从TCAD仿真所需的大部分信息可以从简化的角度提取 ，即可以对设备铺开深度均匀筹备（即二维模拟）
。然而 ，对于像FinFET这样的3D本质的器件，或者为了碰见植入期间的阴影效应或功率器件的击穿着电压上的沟槽形状，必须铺开3D模拟。

软件功能

　　蚀刻和沉积

　　具有用于快速结构原型的几何模型

　　用物理模型铺开详细的工艺步骤分析

　　植入

　　具有非常快的分析模型

　　具有非常精确的蒙特卡罗模型

　　退火

　　配合全面的掺杂扩散模型

　　具有氧化模型的层次结构

　　应力模拟

　　有压力工程的压力史

　　通用2D / 3D设备模拟器

　　四面体网格，用于精确的3D几何表示

　　用于保形Delaunay网格的Voronoi离散化

　　先进的物理模型，具有用户自定义的硅和复合材料的材料数据库

　　应力依赖移动性和带隙模型

　　使用C-Interpreter或动态链接库的高度可定制的物理模型

　　DC ，AC和瞬态分析

　　漂移扩散和能量平衡传输方程

　　自发热效应的自相关模拟 ，包括发热
，热流，晶格加热 ，散热器和温度依赖性材料参数

　　高级多线程数值求解器库
，拥穿着分布式计算

　　量子校正和隧道模型

　　光线跟踪和FDTD光学计划

　　辐射效应包括单次事件不适（SEU），总剂量和剂量率

　　MixedMode电路/器件仿真

　　64位  ，80位 ，128位，160位 ，256位和320位精度

　　Atlas兼容

　　Silvaco的安全加密功能可以最大限度地晋升客户和第三方的知识产权驻防

软件特色

　　快速的3D结构原型设计能力可以对特定的筹备尴尬铺开深入的物理分析

　　全面的扩散模型集：费米
，fullcpl
，单对和五流

　　应力分析的物理氧化模拟

　　极其准确和快速的蒙特卡罗植入模拟

　　Monte Carlo植入 ，扩散，氧化和物理蚀刻和沉积的时间关键操作的

　　高效多线程用于物理沉积和蚀刻的繁杂多粒子通量模型与衬底材料再沉积

　　开放式架构允许轻快引入和修改客户特定的物理模型

　　无缝链接到3D设备模拟器 ，包括结构镜像，自适应掺杂改进和电极规格

　　易于学习，强大的调试模式和用户友好的SUPREM样语法

　　雅典娜兼容性

　　方便的校准平台和快速过程测试（无需运行3D铺开校准） 2D模式

　　从1D，2D和3D模式铺开自动切换

安装会谈明

　　1
、下载文件找到"Setup.exe"双击运行 ，进入软件安装向导界面；

　　2、进入软件安装向导界面 ，点击Next；

　　3、点击我拥穿着此条款中的使用协议
，点击Next

　　4、选择文件安装位置，建议安装在D盘，点击Next

　　5、安装铺开中，请耐心的等待..........

　　6、安装落成，点击Finish；

使用会谈明

　　功率

　　大捷装置的功能允许诸如功率MOS，LDMOS，SOI ，晶闸管和IGBT等功率器件的电气和热性能 。Victory Device采用先进的3D Delaunay网格
，相应的离散化和扩展的精密数值，可以对诸如SiC和GaN等宽带隙材料铺开稳定和精确的模拟。这些器件也可以嵌入电路并由内置的SPICE电路仿真器铺开仿真。

　　3D电场分布 。场地最大处于沟渠的拐角处
。

　　高级CMOS

　　热载体，应力和量子校正和隧道模型允许对先进的CMOS器件（如FinFET和FDSOI）铺开仿真 。

　　该3D FinFET用3D完全非结构化的四面体网格铺开模拟。网格完全自动化
，包括对掺杂和界面的改进。

　　3D FinFET结构

　　复合半导体

　　拥穿着各种复合材料，如SiGe，GaAs，AlGaAs，InP，SiC ，GaN ，AlGaN和InGaN ，可以表征复合化合物半导体器件 。

　　显示

　　大捷器件拥穿着先进的缺陷模型 ，可以对薄膜器件铺开表征。

　　3D TFT A-Si：H IdVg模拟

　　光电子

　　使用Victory Device可以模拟太阳能电池和CMOS图像传感器等器件的光电感谢 。光线跟踪和FDTD光学计划均可用。

　　显示在漆黑和照明条件下CMOS图像传感器的瞬态感谢的3D过程和设备模拟如下所示。

　　漆黑和照明传感器输出电压的比较 。

　　辐射

　　大捷装置包含先进的辐射模型。可以在稳态 ，交流和瞬态模拟单事件镦锻（SEU） ，单事件倦怠（SEB），总剂量和剂量率等影响。

　　InVar Power 扶植设计人员了解和分析由于电源和热2D / 3D配置文件之间的相互依赖而导致的各种设计效果，以及动态功耗如何实时影响设备行为

　　InVar EM / IR 提供综合分析 ，并保持从顶级接合器到每个晶体管的供电网络的全面了解 。分层块建模的独特计划可裁减运行时间和内存，并保持真正平坦运行的准确性。可编程EM规则可轻快适应新技术

　　InVar从单电池设计到全芯片的热定 标，并提供实验室验证的热分析精度 。从热引擎到电源和EM / IR引擎的感谢提供了前所未有的整体准确性